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MOSFET的靜電容量：功率MOSFET在構(gòu)造上，如圖1存在寄生容量。功率MOSFET在構(gòu)造上，如圖1存在寄生容量 MOSFET的G (柵極) 端子和其他的電極間由氧化膜絕緣，DS (漏極、源極) 間形成PN接合，成為內(nèi)置二極管構(gòu)造。Cgs, Cgd容量根據(jù)氧化...

在對(duì)整流二極管進(jìn)行電路設(shè)計(jì)時(shí)，選擇性能參數(shù)合適的整流二極管是非常重要的，以實(shí)際設(shè)計(jì)電路為例子。由圖可知，交流輸入端為：220V/50HZ，要求整流輸出的直流電壓為UO=60V，負(fù)載電流為IO=500mA；下面是兩種計(jì)算方式：1.計(jì)算流過(guò)整流二極管的直流電流由于采...

晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類;1. 按結(jié)構(gòu)分類:根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類,1. 按結(jié)構(gòu)分類:根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管:雙是指Bi（2個(gè)）、極是指divola...

一個(gè)PN結(jié)加上電引線封裝起來(lái)就構(gòu)成了二極管。下面就簡(jiǎn)要介紹一下PN節(jié)的構(gòu)成以及其工作原理。PN結(jié)名思義就是由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體組成的半導(dǎo)體交接界面。對(duì)于p型半導(dǎo)體，由于在四價(jià)元素構(gòu)成的半導(dǎo)體當(dāng)中摻雜了三價(jià)元素，比如在硅中摻雜硼。三價(jià)元素的原子可以接受電子變成...

關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流：在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒(méi)有問(wèn)題的。2. NPN-Tr的B和C對(duì)稱、和E極同樣是N型。也就是說(shuō)，逆接C、E也同樣有...

①使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1;②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%;③VBE是0.55~0.75V;數(shù)字晶體管具有下面的關(guān)系式。數(shù)字晶體管直流電流增益率的關(guān)系式